半導體單晶硅固態壓阻壓力傳感器

      半導體單晶硅材料在受到外力作用，產生肉眼根本察覺不到的極微小應變時，其原子結構內部的電子能級狀態發生變化，從而導致其電阻率劇烈的變化，由其材料制成的電阻也就出現極大變化，這種物理效應叫壓阻效應。人類是在本世紀五十年代才開始發現和研究這一效應的應用價值的。

       利用壓阻效應原理，采用三維集成電路工藝技術及一些專用特殊工藝，在單晶硅片上的特定晶向，制成應變電阻構成的惠斯登檢測電橋，并同時利用硅的彈性力學特性，在同一硅片上進行特殊的機械加工，集應力敏感與力電轉換檢測于一體的這種力學量傳感器，稱為固態壓阻傳感器。
        以氣、液體壓強為檢測對象的則稱為固態壓阻壓力傳感器，它誕生于六十年代末期。顯然，它較之傳統的膜合電位計式，力平衡式，變電感式，變電容式，金屬應變片式及半導體應變片式傳感器技術上先進得多，目前仍是壓力測量領域最新一代傳感器。由于各自的特點及局限性，它雖然不能全面取代上述各種力學量傳感器，但是，從八十年代中期以后，在美，日，歐傳感器市場上，它已是壓力傳感器中執牛耳的品種，并與壓電式幾乎平分了加速度傳感器的國際市場。目前，在以大規模集成電路技術和計算機軟件技術介入為特色的智能傳感器技術中，由于它能做成單片式多功能復合敏感元件來構成智能傳感器的基礎，因此，它仍然最受矚目。